[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法。本发明的薄膜晶体管的制作方法，通过在有源层的上方形成第一光阻层，采用所述有源层的光罩对该第一光阻层进行图案化处理后，得到第一光阻图案，该第一光阻图案能够在后续源、漏极的蚀刻制程中保护有源层不受到酸蚀刻液的腐蚀，起到蚀刻阻挡层的作用，并且所述第一光阻图案的大部分可以在源、漏极的光刻制程中被剥离掉，从而在制得的薄膜晶体管中的残留量极小，不会对薄膜晶体管的性能造成影响。本发明的薄膜晶体管，制程简单，生产成本低，且有源层的表面平整，薄膜晶体管的性能优异。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成第一金属层(11)，采用第一光罩(12)对所述第一金属层(11)进行图形化处理，得到栅极(20)，在所述栅极(20)与衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(30)；步骤2、在所述栅极绝缘层(30)上形成一半导体层(31)，采用第二光罩(32)对所述半导体层(31)进行图形化处理，形成对应于所述栅极(20)上方的有源层(40)；在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上形成第一光阻层(45)，采用第二光罩(32)对所述第一光阻层(45)进行曝光，在曝光过程中通过调整曝光机台与所述第一光阻层(45)之间的距离和曝光能量，使得所述第一光阻层(45)上对应于所述有源层(40)两端的区域受到强曝光；对所述第一光阻层(45)进行显影，所述第一光阻层(45)上对应于所述有源层(40)以外的区域以及对应于所述有源层(40)两端的强曝光区域被剥离掉，得到第一光阻图案(50)；所述第一光阻图案(50)的尺寸小于所述有源层(40)的尺寸，所述有源层(40)两端没有被所述第一光阻图案(50)遮盖的区域分别形成源极接触区(41)与漏极接触区(42)；步骤3、在所述第一光阻图案(50)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成第二金属层(60)，在所述第二金属层(60)上形成第二光阻层(70)；采用第三光罩(75)对所述第二光阻层(70)进行曝光、显影，形成间隔设置的第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)；以所述第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)为掩膜，对所述第二金属层(60)进行蚀刻，得到源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)和漏极(62)分别与所述源极接触区(41)和漏极接触区(42)相接触，并且分别覆盖所述第一光阻图案(50)的两端；对所述第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)以及所述第一光阻图案(50)上对应于所述源极(61)与漏极(62)之间的区域进行剥离，所述第一光阻图案(50)两端分别被所述源极(61)与漏极(62)覆盖的区域保留下来，形成第一光阻段(51)与第二光阻段(52)。