[发明专利]双端口静态随机存取记忆体单元在审
| 申请号： | 201611215266.3 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107230492A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C8/14;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 双端口静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)单元包括第一至第三电力线；储存单元，其连接至第一至第三电力线；第一端口，其具有由第一字线控制的第一传送栅极晶体管及第二传送栅极晶体管；第二端口，其具有由第二字线控制的第三传送栅极晶体管及第四传送栅极晶体管；以及第一位线至第四位线，其分别经由第一传送栅极晶体管至第四传送栅极晶体管耦接至储存单元。第一位线至第四位线以及第一电力线至第三电力线各自在第一方向中延伸并且由第一金属层形成。第一字线在实质垂直于第一方向的第二方向中延伸并且由第一金属层上方的第二金属层形成。第二字线在第二方向中延伸并且由第二金属层上方的上层金属层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 静态 随机存取 记忆体 单元 | ||
【主权项】：
一种双端口静态随机存取记忆体单元，其限制于由一第一边界至一第四边界所定义的一区域中，该第一边界及该第二边界彼此平行，且该第三边界及该第四边界连接该第一边界及该第二边界并彼此平行，其特征在于，该双端口静态随机存取记忆体单元包括：一第一电力线至一第三电力线；一储存单元，其连接至该第一电力线至该第三电力线；一第一端口，其包括由一第一字线控制的一第一传送栅极晶体管及一第二传送栅极晶体管，该第一传送栅极晶体管使一第一位线与该储存单元彼此耦接，并且该第二传送栅极晶体管使一第二位线与该储存单元彼此耦接；以及一第二端口，其包括由一第二字线控制的一第三传送栅极晶体管及一第四传送栅极晶体管，该第三传送栅极晶体管使一第三位线与该储存单元彼此耦接，并且该第四传送栅极晶体管使一第四位线与该储存单元彼此耦接，其中该第一位线至该第四位线以及该第一电力线至该第三电力线各自在一第一方向中延伸，并由一第一金属层形成，该第一字线在垂直于该第一方向的一第二方向中延伸，并由该第一金属层上方的一第二金属层形成，以及该第二字线在该第二方向中延伸，并由该第二金属层上方的一上层金属层形成。
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