[发明专利]一种超势垒整流器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611215401.4 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106684127A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件，特别涉及一种超势垒整流器件及其制造方法，本发明制造的超势垒整流器件包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层；第二导电类型一阱区；第一导电类型阱区；栅氧化层；多晶硅电极；金属电极，所述第一导电类型外延层中形成第二导电类型二阱区，所述第二导电类型二阱区位于第二导电类型一阱区下方，并且所述第二导电类型二阱区与第二导电类型一阱区相接触，第二导电类型一阱区中形成通孔，所述通孔中填充导电材料，所述导电材料电性连接第二导电类型二阱区和金属电极。本发明增加了超势垒整流器件的反向抗击电压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超势垒 整流 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超势垒整流器件，包括：第一导电类型衬底；所述第一导电类型衬底表面的第一导电类型外延层；所述第一导电类型外延层上表层中的第二导电类型一阱区；所述第二导电类型一阱区上表层中的第一导电类型阱区；所述第一导电类型外延层上的栅氧化层；所述栅氧化层上的多晶硅电极；覆盖所述多晶硅电极以及第二导电类型一阱区和第一导电类型阱区的金属电极，其特征在于：所述第一导电类型外延层中形成第二导电类型二阱区，所述第二导电类型二阱区位于第二导电类型一阱区下方，并且所述第二导电类型二阱区与第二导电类型一阱区相接触，第二导电类型一阱区中形成通孔，所述通孔中填充导电材料，所述导电材料电性连接第二导电类型二阱区和金属电极。
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