[发明专利]一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法有效
| 申请号： | 201611215621.7 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107540401B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 尹孝辉;高银银;国礼杰;包全和;李申申 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 杜袁成 |
| 地址： | 243002 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法，属于陶瓷与金属连接技术领域。该方法首先将三元层状陶瓷与金属铬进行表面处理后进行研磨、抛光及超声清洗；然后将三元层状陶瓷与金属铬安装在热压炉中，并将热压炉抽真空；当热压炉中的真空度达到5×10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 三元 层状 陶瓷 钛硅化碳 金属 扩散 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属铬的扩散连接方法，其特征在于该扩散连接方法的具体步骤如下：(1)将三元层状陶瓷Ti3SiC2与金属铬进行表面处理，然后将所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属铬进行研磨、抛光及超声清洗；然后将处理好的所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属铬安装在热压炉中，并将所述热压炉抽真空；(2)当所述热压炉中的真空度达到5×10‑2Pa时开始加热，在温度为1000～1200℃、压力为20～30MPa下恒压保温30～90min，使所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属铬进行扩散连接；(3)所述扩散连接完成后，在原真空条件下使所述热压炉降温至200℃，然后撤压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽工业大学，未经安徽工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611215621.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
