[发明专利]一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法在审
| 申请号： | 201611215624.0 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106699214A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 尹孝辉;高银银;国礼杰;包全和;张向忠 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 蒋海军 |
| 地址： | 243002 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法，属于陶瓷与金属连接技术领域。该方法首先将三元层状陶瓷与金属镍进行表面处理，然后将三元层状陶瓷与金属镍进行研磨、抛光及超声清洗；然后将三元层状陶瓷与金属镍安装在热压炉中，并将热压炉抽真空；当热压炉中的真空度达到5×10‑2Pa时开始加热，在温度800～1100℃、压力6～20MPa下恒压保温10～90min，使三元层状陶瓷与金属镍进行扩散连接；连接完成后，在原真空条件下降温至200℃，然后撤压。本发明方法得到的扩散连接接头，其剪切强度可达到121MPa，与Ti3SiC2陶瓷的剪切强度接近，可以满足实际应用的需要，从而扩大了三元层状陶瓷钛硅化碳的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 层状 陶瓷 钛硅化碳 金属 扩散 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种三元层状陶瓷钛硅化碳与金属镍的扩散连接方法，其特征在于该扩散连接方法具体步骤如下：(1)将三元层状陶瓷Ti3SiC2与金属镍进行表面处理，然后将所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属镍进行研磨、抛光及超声清洗；然后将处理好的所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属镍安装在热压炉中，并将所述热压炉抽真空；(2)当所述热压炉中的真空度达到5×10‑2Pa时开始加热，在温度800～1100℃、压力6～20MPa下恒压保温10～90min，使所述三元层状陶瓷Ti3SiC2与所述金属镍进行扩散连接；(3)所述扩散连接完成后，在原真空条件下使所述热压炉降温至200℃，然后撤压。
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