[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201611215720.5 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107170824B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括衬底、绝缘体、栅极介电层、第一栅极结构及第二栅极结构。所述衬底包括沟槽、第一半导体鳍及第二半导体鳍。所述第一栅极结构配置于所述栅极介电层上并局部地覆盖所述第一半导体鳍。所述第一栅极结构包括第一金属栅极及覆盖所述第一金属栅极的第一介电顶盖。所述第二栅极结构配置于所述栅极介电层上并局部地覆盖所述第二半导体鳍。所述第二栅极结构包括第二金属栅极及覆盖所述第二金属栅极的第二介电顶盖。所述第一金属栅极的功函数小于所述第二金属栅极的功函数，且所述第一介电顶盖的厚度小于所述第二介电顶盖的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，包括多个沟槽、位于所述沟槽之间的第一半导体鳍及位于所述沟槽之间的第二半导体鳍；多个绝缘体，位于所述沟槽中；栅极介电层，覆盖所述绝缘体、所述第一半导体鳍及所述第二半导体鳍；第一栅极结构，配置于所述栅极介电层上并局部地覆盖所述第一半导体鳍，所述第一栅极结构包括第一金属栅极及覆盖所述第一金属栅极的第一顶表面的第一介电顶盖；以及第二栅极结构，配置于所述栅极介电层上并局部地覆盖所述第二半导体鳍，所述第二栅极结构包括第二金属栅极及覆盖所述第二金属栅极的第二顶表面的第二介电顶盖，其中所述第一金属栅极的功函数小于所述第二金属栅极的功函数，且所述第一介电顶盖的厚度小于所述第二介电顶盖的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611215720.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：智能麻将机
- 下一篇：一种新型迪斯科转盘游艺机
- 同类专利
- 专利分类
