[发明专利]双面型太阳能电池结构的制造方法在审
| 申请号： | 201611216369.1 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106997914A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄昱翔;程昱达;陈传祺;林佳龙;曹金豹;简荣吾;烟浩 | 申请（专利权）人： | 英稳达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)11446 | 代理人： | 武玉琴,刘国伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种双面型太阳能电池结构的制造方法，包括下列步骤在半导体基材的第一表面上进行硼扩散的制造过程步骤，以形成P+型区域，并且在所述P+型区域上形成硼硅玻璃层；移除所述P+型区域上的所述硼硅玻璃层，以曝露所述P+型区域；在所述P+型区域上形成第一抗反射层；在所述第一抗反射层上形成牺牲层；在所述半导体基材的第二表面上进行磷扩散的制造过程步骤，以形成N+型区域并且在所述N+型区域形成一磷硅玻璃层；移除在所述N+型区域上的所述磷硅玻璃层以曝露所述N+型区域，并且同时移除在所述第一抗反射层上的所述牺牲层；以及，在所述N+型区域上形成第二抗反射层。牺牲层可以保护半导体基材的第一抗反射涂层，以避免针孔或缺陷的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 太阳能电池 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双面型太阳能电池结构的制造方法，其特征在于，所述双面型太阳能电池结构的制造方法包括：在一半导体基材的一第一表面上进行一硼扩散的制造过程步骤，以形成一P+型区域，并且在所述P+型区域上形成一硼硅玻璃层；移除所述P+型区域上的所述硼硅玻璃层，以曝露所述P+型区域；在所述P+型区域上形成一第一抗反射层；在所述第一抗反射层上形成一牺牲层；在所述半导体基材的一第二表面上进行一磷扩散的制造过程步骤，以形成一N+型区域并且在所述N+型区域形成一磷硅玻璃层；移除在所述N+型区域上的所述磷硅玻璃层以曝露所述N+型区域，并且移除在所述第一抗反射层上的所述牺牲层；以及在所述N+型区域上形成一第二抗反射层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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