[发明专利]一种化合物半导体异质接面双极晶体管有效
| 申请号： | 201611216552.1 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106653826B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 颜志泓;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/737;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体异质接面双极晶体管，包括集电极层、次集电极层以及设置于集电极层和次集电极层之间的中间层，所述集电极层和次集电极层分别由GaAs构成，所述中间层包括能隙小于GaAs的材料。本发明通过低能隙中间层的设置，在次集电极的厚度和掺杂浓度为一普通条件下，可降低集电极之杂散阻值，改善基于化合物半导体异质接面双极晶体管的功率放大器件的直流功耗，提高器件的功率附加效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 异质接面 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体异质接面双极晶体管，其特征在于：包括集电极层、次集电极层以及设置于集电极层和次集电极层之间的中间层；所述集电极层和次集电极层分别由GaAs构成，所述中间层包括能隙小于GaAs的材料；所述中间层由InxGaAs构成，其中0＜x≤0.4；或所述中间层由InxGaAs/GaAs超晶格结构构成，其中0＜x≤0.4。
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