[发明专利]基于台阶结构的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201611217101.X | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106783585A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陶志波;刘杰;李全宝;安少华 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于台阶结构的刻蚀方法，其包括如下步骤S1.在所述台阶结构所在的区域沉积一层过渡层薄膜；S2.对所述过渡层薄膜进行刻蚀，刻蚀至所述台阶结构的刻蚀停止层；S3.在所述台阶结构所在的区域沉积刻蚀层；S4.在所述台阶结构对应的刻蚀层上制作图形结构层；S5.刻蚀去除所述刻蚀层未被所述图形结构层覆盖的部分；S6.刻蚀去除所述图形结构层。本发明的基于台阶结构的刻蚀方法工艺控制简单、形貌可控且重复性好，其避免了干法刻蚀工艺参数调整而影响制程稳定性及产品性能；并且可以通过调整过渡层的厚度进而控制台阶结构处的薄膜形貌平滑度；解决了MEMS产品工艺因台阶高度差大而造成的工艺实现问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 台阶 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种基于台阶结构的刻蚀方法，其特征在于，所述基于台阶结构的刻蚀方法包括如下步骤：S1.在所述台阶结构所在的区域沉积一层过渡层薄膜；S2.对所述过渡层薄膜进行刻蚀，刻蚀至所述台阶结构的刻蚀停止层；S3.在所述台阶结构所在的区域沉积刻蚀层；S4.在所述台阶结构对应的刻蚀层上制作图形结构层；S5.刻蚀去除所述刻蚀层未被所述图形结构层覆盖的部分；S6.刻蚀去除所述图形结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
