[发明专利]嵌入有纳米晶体的电容器在审
| 申请号： | 201611217121.7 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106971999A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 赖政杰;余孟廷;巫勇贤;陈光鑫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了半导体结构的实施例，半导体结构包括形成在半导体衬底上的互连结构和设置在互连结构中的电容器。互连结构包括顶部电极、底部电极、夹在顶部和底部电极之间的介电材料层和嵌入介电材料层中的纳米晶体层。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及嵌入有纳米晶体的电容器及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 纳米 晶体 电容器 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：互连结构，形成在半导体衬底上；以及电容器，设置在所述互连结构中，其中，所述互连结构包括顶部电极、底部电极、夹在所述电极顶部和所述底部电极之间的介电材料层以及嵌入所述介电材料层中的纳米晶体层。
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