[发明专利]一种埋藏型金属栅格生成方法及图像传感器制造方法

摘要

本发明涉及一种埋藏型金属栅格生成方法及图像传感器制造方法，包括对半导体基底上部待生成金属栅格区进行光刻，以在所述待生成金属栅格区形成基底层材质栅格；在所述基底层材质栅格的侧壁生成金属膜层，以生成金属栅格。本发明的有益效果是本发明金属膜层的金属栅格与现有技术中的实心金属栅格在挡光性上具有完全相同的等效性；与现有技术相比，其只需进行一次光刻，且无需生成金属层，有效简化制程流程，降低制程成本；且对半导体基底上部待生成金属栅格区进行光刻时，可直接在平坦化的半导体基底的上表面进行抗反射层和光阻层的涂覆，提高涂覆均匀性，进一步提高光刻效果，提高生成的金属栅格的精度。

主权项

一种埋藏型金属栅格生成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，对半导体基底上部待生成金属栅格区进行光刻，以在所述待生成金属栅格区形成基底层材质栅格；步骤2，在所述基底层材质栅格的侧壁生成金属膜层，以生成金属栅格。