[发明专利]一种启动电路及自偏置锁相环电路有效
| 申请号： | 201611217626.3 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106656170B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 沈炎俊;刘寅 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天软件有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/085 | 分类号： | H03L7/085;H03L7/18 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种启动电路及自偏置锁相环电路，该启动电路，包括，电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管，其中，第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极及漏极、第三NMOS管的漏极相连接；第一NMOS管漏极、第二NMOS管的漏极及栅极、电流源的输出端、第三NMOS管的栅极相连接；第一PMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极相连接，作为启动端；第一PMOS管源极、第二PMOS管的源极、电流源的输入端与电源相连接；第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管的源极接地。本发明的启动电路可以保证自偏置锁相环电路的可靠启动，进一步保证芯片流片成功。此外，本发明的启动电路的核心器件仅为五个晶体管，采用较少的器件即可实现启动功能，保证了芯片的可靠及节省了芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 启动 电路 偏置 锁相环 | ||
【主权项】：
一种启动电路，其特征在于，包括，电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管，其中，所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极及漏极、所述第三NMOS管的漏极相连接；所述第一NMOS管漏极、所述第二NMOS管的漏极及栅极、所述电流源的输出端、所述第三NMOS管的栅极相连接；所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极相连接，作为启动端；所述第一PMOS管源极、所述第二PMOS管的源极、所述电流源的输入端与电源相连接；所述第一NMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管的源极接地。
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