[发明专利]一种掺镱晶体及其生长方法和应用在审
| 申请号： | 201611218362.3 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106801257A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王正平;张栩朝;郭世义;于法鹏;许心光;赵显 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B28/02;C30B15/00;H01S3/109;H01S3/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺镱晶体及其生长方法和应用，一种掺镱晶体，所述掺镱晶体的分子式为Ca3‑3xYb3xRGa3Si2O14，R为Nb离子或Ta离子，Yb离子的掺杂浓度为0.1–50at.％。上述掺镱晶体同时具有激光发射和非线性光学效应，是一类性能优良的自倍频激光晶体。与激光晶体、非线性光学晶体两者组合而成的激光器相比，由上述掺镱晶体制成的自倍频绿光激光器体积更小，结构更加紧凑，生产成本大大降低，同时也简化了加工和装配环节，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 及其 生长 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种掺镱晶体，其特征在于，所述掺镱晶体的分子式为Ca3‑3xYb3xRGa3Si2O14，R为Nb离子或Ta离子，Yb离子的掺杂浓度为0.1–50at.％。
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