[发明专利]抗单粒子翻转的存储单元

摘要

抗单粒子翻转的存储单元，涉及集成电路抗辐射加固领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明由10个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7和N8。本发明可以对存储单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。本发明主要用于对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。

主权项

抗单粒子翻转的存储单元，其特征在于，它包括2个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管，所述的2个PMOS晶体管分别为晶体管P1和P2，8个NMOS晶体管分别为晶体管N1至N8；晶体管P2的源极、晶体管P1的源极、晶体管N5的漏极和晶体管N6的漏极均接供电电源，晶体管P2的漏极与晶体管P1的栅极、晶体管N6的栅极、晶体管N2的漏极同时连接，晶体管P2的漏极与晶体管P1的栅极的交点为节点C，晶体管P2的栅极与晶体管P1的漏极、晶体管N4的漏极和晶体管N5的栅极同时连接，晶体管P1的漏极与晶体管N5的栅极的交点为节点D，晶体管N6的源极与晶体管N8源极、晶体管N4的栅极、晶体管N3的漏极和晶体管N1的栅极同时连接，晶体管N4的栅极与晶体管N3的漏极的交点为存储单元输出节点A，晶体管N4的源极与晶体管N3的源极、晶体管N1的源极和晶体管N2的源极同时接地，晶体管N5的源极与晶体管N7源极、晶体管N3的栅极、晶体管N1的漏极和晶体管N2的栅极同时连接，晶体管N2的栅极与晶体管N1的漏极的交点为存储单元输出节点B，晶体管N7的栅极和晶体管N8的栅极均通过字线WL来接收控制开关操作的信号，晶体管N7的漏极与位线BLN连接，晶体管N8的漏极与位线BL连接。