[发明专利]一种DARC薄膜的低温沉积方法在审
| 申请号： | 201611219771.5 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106783546A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张高升;曾庆锴;胡淼龙;蒋志超;万先进 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/50;C23C16/30 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DARC薄膜的低温沉积方法，适用于在晶元表面最上方的BARC层上形成DARC层；提供一等离子体增强化学气相沉积反应器，等离子体增强化学气相沉积反应器内设有反应基座，方法包括向等离子体增强化学气相沉积反应器内输入用于生成DARC层的反应物；晶元在反应基座上按照第一预设参数进行预沉积操作；在完成预沉积操作后的晶元表面按照第二预设参数进行主沉积操作；在完成主沉积操作的晶元表面按照第三预设参数进行后沉积操作以形成DARC层。本发明的有益效果在低温下于晶元表面的BARC层上形成DARC层，且能够提高柔性薄膜BARC层上的DARC层成膜的平整度，显著降低DARC层薄膜的表面缺陷，有利于后期在晶元的DARC层上生成PR层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 darc 薄膜 低温 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种DARC薄膜的低温沉积方法，适用于在晶元表面最上方的BARC层上形成DARC层；其特征在于，提供一等离子体增强化学气相沉积反应器，所述等离子体增强化学气相沉积反应器内设有反应基座，所述反应基座用于承载所述晶元，所述方法包括：步骤S1、向所述等离子体增强化学气相沉积反应器内输入用于生成所述DARC层的反应物；步骤S2、所述晶元在所述反应基座上按照第一预设参数进行预沉积操作；步骤S3、在完成所述预沉积操作后的所述晶元表面按照第二预设参数进行主沉积操作；步骤S4、在完成所述主沉积操作的所述晶元表面按照第三预设参数进行后沉积操作以形成所述DARC层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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