[发明专利]一种半导体测量站点的抽样方法有效
申请号: | 201611220653.6 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106653639B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 潘鼎;曹兴旺;杨勇;庞晶晶 | 申请(专利权)人: | 华润微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体测量站点的抽样方法,属于半导体制造技术领域;该方法中,提供每个测量机台对应的测量计划并将每个测量机台切换成对应的测量计划,提供复数个抽样规则,还包括以下步骤:步骤S1,判断到达测量站点的在制品是否满足抽样规则:若否,则转向步骤S3;步骤S2,若干测量机台按照各测量机台对应的测量计划对在制品进行测量,在制品在测量结束后进入后续加工过程;步骤S3,在制品跳过测量站点,直接进入后续加工过程。上述技术方案的有益效果是:能够解决因各产品按照各自流水序列号下线导致的测量抽样率不平衡的问题,使得WIP的生产管理更加平衡,提升FAB机台的产能利用率,提升人员以及工程的处理效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 测量 站点 抽样 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体测量站点的抽样方法,应用于利用所述测量站点对在制品进行测量的系统中,所述测量站点中包括若干测量机台,其特征在于,提供每个所述测量机台对应的测量计划并将每个所述测量机台切换成对应的所述测量计划;提供复数个抽样规则,所述方法还包括以下步骤:步骤S1,判断到达测量站点的在制品是否满足所述抽样规则:若否,则转向步骤S3;步骤S2,所述若干测量机台按照各所述测量机台对应的测量计划对所述在制品进行测量,所述在制品在测量结束后进入后续加工过程;步骤S3,所述在制品跳过所述测量站点,直接进入后续加工过程;其中,所述抽样规则包括复数个第一类抽样规则,以及复数个第二类抽样规则;则所述步骤S1具体包括:步骤S11,判断所述在制品是否符合所述第一类抽样规则:若否,则转向所述步骤S3;步骤S12,判断所述在制品的序号是否包括在一个预设的序号范围内:若否,则转向所述步骤S3;步骤S13,判断所述在制品是否处于缺陷检查站点;若否,则转向所述步骤S3;步骤S14,判断所述在制品是否符合所述第二类抽样规则:若是,则转向所述步骤S2;若否,则转向所述步骤S3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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