[发明专利]一种实现离子源均匀照射镀膜基片的镀膜方法有效
| 申请号： | 201611222559.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106399950B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 龙汝磊;戴秀海;余龙;孙英会 | 申请（专利权）人： | 光驰科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28 |
| 代理公司： | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人： | 徐小蓉 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其是一种实现离子源均匀照射镀膜基片的镀膜方法，其特征在于：将所述离子源发射荷能粒子的发射区域的截面形状设置为扇形或类扇形，使所述镀膜伞架径向上的所述镀膜基片在途经所述扇形或类扇形发射区域上方时接受到的荷能粒子的照射时间相等。本发明的优点是：实现镀膜伞架径向上的镀膜基片接受到的荷能粒子照射强度大致相当，从而形成均匀性较好的薄膜致密度；结构简单、合理，适用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 离子源 均匀 照射 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现离子源均匀照射镀膜基片的镀膜方法，通过离子源对承载在可旋转镀膜伞架上的镀膜基片进行镀膜，其特征在于：将所述离子源发射荷能粒子的发射区域的截面形状设置为扇形或类扇形，使所述镀膜伞架径向上的所述镀膜基片在途经所述扇形或类扇形发射区域上方时接受到的荷能粒子的照射时间相等。
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