[发明专利]一种微电子气压传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201611222748.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106586942A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 齐本胜;蔡春华;朱念芳;华迪;谈俊燕 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;G01L9/12 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 刘艳艳,董建林 |
| 地址： | 213022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于单晶硅外延封腔工艺的气压传感器结构及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的电容式气压传感器，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的电容式气压传感器电容值主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度及压力影响。基于介电伸缩效应原理，电容介电材料介电常数值随所受压力的变化而变化，并且呈现明显的单调性，该特性可以实现压力或者气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该电容式气压传感器体积小，功耗低，响应时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微电子 气压 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子气压传感器，其特征在于：包括单晶硅密封腔体和基于介电伸缩效应的电容式气压传感器；以单晶硅作为衬底，通过单晶硅外延封腔工艺形成密封腔体结构；通过溅射，光刻，腐蚀工艺，在密封腔上表面的依次生长电容器下电极、介电材料、上电极；在单晶硅衬底上设置有金属焊盘和引线用来分别引出电容器的上电极、下电极。
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