[发明专利]硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺

摘要

本发明公开了一种硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺，包括：将Ge、As、Se、Te四种元素单质破碎成均匀小块或粉末，然后将四种单质按计算用量装入石英管中，抽真空后，进行密管合成。将合成好的GeAsSeTe化合物球磨，得到干燥的GeAsSeTe粉末。以GeAsSeTe粉末为原料进行热压烧结，制得GeAsSeTe靶坯。对靶坯进行机械加工得到GeAsSeTe靶材。本发明使用的密管合成法可合成杂相少、成分均匀的GeAsSeTe化合物，并可有效保证合成产物的高纯度。热压烧结成形生产工艺生产的GeAsSeTe靶材，相对密度高、成分均匀、晶粒小、性能好。

主权项

1.一种硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）配料和封管， 将纯度均为99.999%的单质Ge、As、Se、Te破碎为均匀小块或粉末，按原子比Ge:As:Se:Te=a:b:c:d（a+b+c+d=100%），，计算用量，并考虑到As、Se、Te反应中有损耗，在理论用料的基础上，As过量1%~6%、Se过量4%~8%，Te过量8~12%，将四种单质精确称量后装入石英管中，As、Se、Te置于一端，Ge置于另一端，抽石英管真空至10^‑2托，用氢氧焰封管待烧；（2）双温区密管合成，将装好原料的密管放入双管炉中，双管炉两端分别按各自的时温曲线加热，高温端达到950~1000摄氏度，低温端采用阶梯式升温方式，分别在650~700摄氏度、750~800摄氏度、950~1000摄氏度等三个温度段各保温1小时，等合成完全后切断电源停止加热，随炉冷却； （3）制粉， 用上述方法合成的锗砷硒碲材料是块状的，从密管中取出合成物，通过筛选、破碎、球磨制成100~200目的粉末作为生产靶材的原料；（4）热压烧结成形， 将上述制得的粉末，按预先算好的用量，装入模具中，用热等静压烧结技术烧结成形，烧结温度300~600摄氏度，施加压力12~25MPa，烧结时间10~30min，得到锗砷硒碲靶材的毛坯。