[发明专利]一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法有效
申请号: | 201611224132.8 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106784190B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 刘军林;张建立;陶喜霞;江风益 | 申请(专利权)人: | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/32 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330047 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法,该GaN基LED的结构包括衬底,在衬底上依次设有缓冲层、n型层、量子阱层和p型层,在n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层,厚度为2─20μm,C元素掺杂浓度为1×1019─1×1021cm‑3;量子阱层通电时发射蓝光,量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光,蓝光和黄光可混合成不同颜色的光。通过调节输入电流的大小,来调制量子阱层发射的蓝光与GaN黄带发光层发射的黄光的配比,从而可获得不同颜色的光,包括黄光、白光和蓝光。这种LED可发射包含白光在内的多种颜色的光,光的颜色可轻松变换,易于实现复杂的照明效果,或用于光通信领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 变色 功能 gan led 结构 及其 调节 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有变色功能的GaN基LED结构,包括衬底,在衬底上设有缓冲层,在缓冲层上设有n型层,量子阱层和p型层,其特征在于:在所述n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层,厚度为2‑20μm,C元素掺杂浓度为1×1019‑1×1021cm‑3;量子阱层通电时发射蓝光,量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光,通过调节LED的输入电流的大小,来调节GaN黄带发光层发射的黄光和量子阱层发射的蓝光的配比,获得不同颜色的光。
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