[发明专利]碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201611224149.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783957A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;袁昊;汤晓燕;元磊;张艺蒙;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223 | 代理人： | 潘宏伟 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构，包括碳化硅衬底层；形成于衬底层上第一半导体层，设置于第一半导体层表面的多台阶沟槽结构，覆盖于多台阶沟槽结构上方的钝化层，设于第一半导体层内的结终端扩展结构，且结终端扩展结构位于多台阶沟槽结构的下方，结终端扩展结构包围多台阶沟槽结构；设置于第一半导体层内的有源区，该有源区与结终端扩展结构邻接。本发明在传统平面结终端扩展结构的基础上加入多台阶结构，改变了结终端扩展结构中的P‑N结形貌，增大了结边缘曲率，通过在终端中部引入多峰值电场来缓解传统平面结终端扩展两个拐角处出现峰值电场，缓解了结边缘的电场集中效应，从而提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 台阶 沟槽 终端 扩展 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，包括：碳化硅衬底层(101)；形成于所述碳化硅衬底层(101)上第一半导体层(102)，所述第一半导体层(102)具有第一导电类型；设置于所述第一半导体层(102)表面的多台阶沟槽结构(104)；覆盖于所述多台阶沟槽结构(104)上方的钝化层(105)；结终端扩展结构(103)，所述结终端扩展结构(103)具有第二导电类型，所述结终端扩展结构(103)设于所述第一半导体层(102)内，且位于所述多台阶沟槽结构(104)的下方，邻靠所述多台阶沟槽结构(104)的沟槽侧壁和沟槽底部设置，且所述结终端扩展结构(103)包围所述多台阶沟槽结构(104)；有源区(106)，所述有源区(106)具有第二导电类型，所述有源区(106)设置于所述第一半导体层(102)内，且与所述结终端扩展结构(103)邻接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611224149.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
