[发明专利]一种碳化硅MOS栅控功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611224421.8 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242394A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;杨霏;李玲;夏经华;桑玲;李嘉琳;田亮;查祎英;杜玉杰 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网山东省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅MOS栅控功率器件及其制备方法，所述制备方法包括在碳化硅衬底的正面形成外延薄膜，并采用倒掺杂型离子注入法向所述外延薄膜的上表面注入离子，形成倒掺杂阱区；向倒掺杂阱区注入离子分别形成源极接触区和基极接触区；在外延薄膜的上表面淀积金属分别形成栅电极和源电极，在碳化硅衬底的背面淀积金属形成漏电极。与现有技术相比，本发明提供的一种碳化硅MOS栅控功率器件及其制备方法，可以避免碳化硅MOS栅控功率器件在承受反向耐压时因阱区底部穿通而导致器件失效或损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率器件 制备 外延薄膜 掺杂阱区 淀积金属 注入离子 上表面 衬底 基极接触区 离子注入法 源极接触区 反向耐压 器件失效 掺杂型 漏电极 源电极 栅电极 穿通 阱区 背面 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOS栅控功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在碳化硅衬底的正面形成外延薄膜，并采用倒掺杂型离子注入法向所述外延薄膜的上表面注入离子，形成倒掺杂阱区；向所述倒掺杂阱区注入离子分别形成源极接触区和基极接触区；在所述外延薄膜的上表面淀积金属分别形成栅电极和源电极，在所述碳化硅衬底的背面淀积金属形成漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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