[发明专利]一种发射机级联结构及电磁发射机系统有效
申请号: | 201611224809.8 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106802431B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 真齐辉;底青云;杨全民 | 申请(专利权)人: | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
主分类号: | G01V3/08 | 分类号: | G01V3/08 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 赵勍毅 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种发射机级联结构,包括多个发射机,每个发射机分别包括一个第一及第二发射机;第一发射机包括第一H逆变桥,第二发射机包括第二H逆变桥;第一H逆变桥的左桥臂与第一电极相连接,第二H逆变桥的右桥臂与第二电极相连接,第一H逆变桥的右桥臂通过第一电阻与第二H逆变桥的左桥臂相连接;第一H逆变桥左、右下桥臂连接处分别通过第一二极管和第二二极管与第二H逆变桥左、右下桥臂连接处相连接,第一二极管D1与第二二极管D2的极性相反。其中,每个发射机组中的第一电极与第二电极的极距为第一预设距离,相邻两个发射机组中的四个电极组成一个矩形,且相邻两个第一电极的距离为第二预设距离。本方案能够有效提高高频发射电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 发射机 级联 结构 电磁 系统 | ||
【主权项】:
1.一种发射机级联结构,其特征在于:所述发射机级联结构包括多个发射机组,每个发射机组分别包括一个第一发射机及一个第二发射机;所述第一发射机包括一个第一H逆变桥,所述第二发射机包括一个第二H逆变桥;所述第一H逆变桥的左桥臂与一个第一电极相连接,所述第二H逆变桥的右桥臂与一个第二电极相连接,所述第一H逆变桥的右桥臂通过一个第一电阻与第二H逆变桥的左桥臂相连接;所述第一H逆变桥左、右下桥臂连接处分别通过一个第一二极管和一个第二二极管与第二H逆变桥左、右下桥臂连接处相连接,所述第一二极管与第二二极管的极性相反;其中,所述每个发射机组中的第一电极与第二电极的极距为第一预设距离,相邻两个发射机组中的四个电极组成一个矩形,且相邻两个第一电极的距离为第二预设距离;所述每个发射机组中的第一发射机的第一H逆变桥的右桥臂分别通过一个级联电阻与其他每个发射机组中的第二发射机的第二H逆变桥的左桥臂相连接。
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