[发明专利]一种用于减薄半导体基片的装置及方法在审
申请号: | 201611224838.4 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN108242413A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 陈波;夏洋;李楠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种用于减薄半导体基片的装置。所述装置包括:底盘,所述底盘上设有基片槽,用于放置待减薄的基片;上盖,所述上盖为中空的环状,所述中空的面积小于等于所述基片的面积;所述上盖与底盘固定连接,将所述基片夹持住;所述基片待减薄的一面通过所述上盖的中空位置暴露出来。本发明还提供一种用于减薄半导体基片的方法。本发明利用湿法刻蚀对基片背面暴露出来的部分进行减薄处理,基片边缘保持原来的厚度,对整个基片起到支撑作用,减少了减薄基片的破损,使整个基片与现有生产线设备兼容,提高生产率,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 减薄 上盖 半导体基片 底盘 中空的 半导体制造技术 生产线设备 基片背面 基片边缘 减薄处理 湿法刻蚀 支撑作用 中空位置 基片槽 基片夹 暴露 破损 兼容 | ||
【主权项】:
1.一种用于减薄半导体基片的装置,其特征在于,所述装置包括:底盘,所述底盘上设有基片槽,用于放置待减薄的基片;上盖,所述上盖为中空的环状,所述中空的面积小于等于所述基片的面积;所述上盖与底盘固定连接,将所述基片夹持住;所述基片待减薄的一面通过所述上盖的中空位置暴露出来。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611224838.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造