[发明专利]一种ON‑CELL用ITO透明导电膜及其制作工艺在审
| 申请号： | 201611225277.X | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106710671A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 朱磊;孙勇;张石亮;杨凯 | 申请（专利权）人： | 安徽立光电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司32206 | 代理人： | 顾进 |
| 地址： | 239200 安徽省滁*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ON‑CELL用ITO透明导电膜，其包括有A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层，所述A模层为氧化铌膜层与二氧化钛膜层中的任意一种，所述ON‑CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层；所述ON‑CELL用ITO透明导电膜在制作过程中采用氩气与氧气进行镀膜处理，并在镀膜完成后进行真空退火；采用上述技术方案中的ON‑CELL用ITO透明导电膜，其通过采用氧化铌膜层与二氧化钛膜层中的任意一种，进而使得成型面板在进行镀膜成型过程中的蚀刻痕迹得以消除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 on cell ito 透明 导电 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种ON‑CELL用ITO透明导电膜，其特征在于，所述ON‑CELL用ITO透明导电膜包括有A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层，所述A模层为氧化铌膜层与二氧化钛膜层中的任意一种，所述ON‑CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为：A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层。
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