[发明专利]QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201611226239.6 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106784191B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/28 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为核壳量子点，且其壳层为ZnS；所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成，其中，所述电子传输层由N型ZnS制成，所述空穴传输层由P型ZnS制成，且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述量子点发光层为核壳量子点，且其壳层为ZnS；/n所述空穴传输层的主体材料与所述核壳量子点的壳层材料相同，所述电子传输层的材料与所述核壳量子点的壳层材料相同，其中，所述电子传输层的材料为N型ZnS，所述空穴传输层的材料为P型ZnS，且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS，所述Sb掺杂ZnS中，以Sb、Zn的摩尔总量为100％计，Sb占Sb、Zn摩尔总量的0.5-20％。/n
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