[发明专利]免插电富氢负离子浓度稳定持久产生装置有效

专利信息
申请号: 201611226541.1 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN108238670B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 蔡彦欣;黄泓杰 申请(专利权)人: 鑫沂创富生技有限公司;蔡彦欣
主分类号: C02F1/66 分类号: C02F1/66
代理公司: 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 代理人: 郑玉洁
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种免插电富氢负离子浓度稳定持久产生装置,包括:一外壳,具有一上盖以及一本体,该上盖具有一颈部、一第一出入水口以及多个第二出入水口,该本体内具有一容置空间;以及一内壳,容置于该外壳的容置空间内,该内壳底部设有至少一第一出入水口以及一第一出入水道,在该第一出入水道上具有一第一制造室以及一第二制造室,该第一制造室、第二制造室中间借由一第二出水道以及一第三出入水道分开,该第三出入水道为环形中空结构,其内具有一第一气室,该内壳内具有多个滤膜,而该滤膜设于该内壳顶部,并区隔出一第二气室,该水管在该第一气室处开设有至少一出入水孔,该第二出入水道上设有一横向贯穿的气孔,供气体排出,避免气体堵塞这些出入水孔。
搜索关键词: 免插电富氢 负离子 浓度 稳定 持久 产生 装置
【主权项】:
1.一种免插电富氢负离子浓度稳定持久产生装置,其特征在于,包括:一外壳,具有一上盖以及一本体,该上盖的顶部具有一颈部,该颈部的顶端设有一第一出入水口,而该颈部的侧边设有多个第二出入水口,在该本体内具有一容置空间;以及一内壳,容置于该外壳的容置空间内,其中,该内壳底部设有至少一第一出入水口以及一第一出入水道,在该第一出入水道上具有一第一制造室以及一第二制造室,该第一制造室、第二制造室中间借由一第二出水道以及一第三出入水道分开,其中,该第三出入水道为环形中空结构,其内具有一第一气室,而该第二出入水道贯穿于该第三出入水道,进而连通该第一制造室、第二制造室,该内壳内具有多个滤膜,这些滤膜设于该第一出入水口以及这些出入水道的两端,而一该滤膜设于该内壳顶部,并区隔出一第二气室,一水管自该内壳的顶部开口穿设于该第二气室、第二制造室以及该第一气室内,该水管在该第一气室处开设有至少一出入水孔,在该第二气室处设有至少一气孔,并且,该内壳设有多个气孔,其中,该内壳的顶部壳上设有一贯穿壳壁的气孔,该第二出入水道上设有一横向贯穿的气孔,供气体排出,避免气体堵塞这些出入水孔。
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