[发明专利]准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 201611226821.2 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106887386A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 喻志农;闫伟;郭建;蒋玉蓉;薛唯 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明主要属于半导体基板加工工艺领域，具体涉及准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法。利用图案化使薄膜形成桥式结构，利用准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。此方法形成的多晶硅薄膜用做多晶硅薄膜晶体管的有源层，可有效降低晶体管关态漏电流，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 准分子激光 退火 制备 沟道 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法，所述方法将沉积在基板上的非晶硅薄膜制备成具有桥式沟道多晶硅薄膜，其特征在于，所述方法包括图案化和准分子激光退火；所述图案化使薄膜形成桥式结构；所述准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜；所述准分子激光退火发生在图案化之前或图案化之后。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
