[发明专利]光子集成器件及其制作方法有效
申请号: | 201611227642.0 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN108242452B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 张子旸;陈红梅;黄源清;刘清路 | 申请(专利权)人: | 青岛翼晨镭硕科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 266300 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种光子集成器件,包括衬底;衬底上设置有二维材料单元以及位于二维材料单元两侧的半导体发光单元;二维材料单元中设置有发光波段长于半导体发光单元的发光波段的发光二维材料,半导体发光单元向二维材料单元提供泵浦光源,以泵浦发光二维材料发光。本发明的光子集成器件通过改变发光二维材料的层数或种类即获得不同发光波段;同时,根据本发明的光子集成器件采用光泵浦发光的方式,无需形成p‑n结,与现有技术中以发光二维材料为基础制作p‑n结的电泵浦发光方式相比,简化了工艺难度。本发明还提供了上述光子集成器件的制作方法。该制作方法易于实现工艺标准化,与现有半导体器件制作工艺兼容,降低了制作成本,有利于批量生产。 | ||
搜索关键词: | 光子 集成 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种光子集成器件,包括衬底;其特征在于,所述衬底上设置有二维材料单元以及位于所述二维材料单元两侧的半导体发光单元;所述二维材料单元中设置有发光波段长于所述半导体发光单元的发光波段的发光二维材料,所述半导体发光单元向所述二维材料单元提供泵浦光源,以泵浦所述发光二维材料发光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的