[发明专利]一种高稳定霍尔元件及其制备方法

摘要

本发明提供一种高稳定霍尔元件及其制备方法，该高稳定霍尔元件结构包括硬质基片、引线端、由两层或多层不同材料的薄膜堆栈组合而成的霍尔片及壳体。所述的霍尔片结构设计为对称的“十”字形结构、缺角矩形结构、四叶草结构、十字星形结构等多种不同的结构，并且半导体薄膜层由不同温度霍尔系数的材料组成。所述的引线端位于不同结构的四端，两两对称的两端分别为电流输入端和霍尔电压输出端。本发明的一种高稳定霍尔元件，由于含两层或多层不同温度霍尔系数的薄膜层，不仅具有高系数形状效应、高输出电压的特点，而且可以降低霍尔系数对温度的响应，减小温度对霍尔电压的影响，提升霍尔元件的稳定性。

主权项

1.一种高稳定霍尔元件，其特征在于：包括硬质基片、设置在硬质基片上的霍尔片(2)、设置在霍尔片(2)端部上的电极(3)以及包覆在霍尔片(2)上起保护作用的壳体(1)；所述的霍尔片(2)为由正温度霍尔系数薄膜与负温度霍尔系数薄膜堆栈组合的两层薄膜层，或者由正温度霍尔系数薄膜与负温度霍尔系数薄膜间隔堆栈组合的多层薄膜层；所述的霍尔片(2)的四个电极(3)上分别引出一条引线，其中，对应的两端a和b为电流输入端，另外对应的两端c和d为霍尔电压输出端；所述的电极(3)选用金或银；霍尔片结构设计为具有四个端点的中心对称图形。