[发明专利]显示基板及其制备方法在审
申请号: | 201611228190.8 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106783883A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 杜生平;苏同上;黄正峰;杨玉;马云;郭稳;刘丽华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种显示基板及其制备方法,包括在衬底基板的上方且位于非像素区域内形成薄膜晶体管;在薄膜晶体管的上方形成钝化层;在钝化层的上方且位于彩色像素区域内形成彩色色阻;在钝化层和彩色色阻的上方形成平坦化层;减薄彩色像素区域中的平坦化层的厚度;在平坦化层的上方形成显示电极,显示电极与薄膜晶体管中的漏极过孔连接。本发明的技术方案通过对位于彩色像素区域中的平坦化层进行减薄处理,以使得位于彩色色阻上方的平坦化层膜厚减小,从而能有效改善平坦化层的平坦性。此外,由于彩色色阻上方的平坦化层膜厚减小,可使得显示电极与漏极之间的高度差减小,从而可有效降低显示电极出现断裂的风险。 | ||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板划分有非像素区域和彩色像素区域,所述显示基板的制备方法包括:在衬底基板的上方且位于所述非像素区域内形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管的上方形成钝化层;在所述钝化层的上方且位于所述彩色像素区域内形成彩色色阻;在所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成平坦化层;减薄所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度,以使得所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度小于所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度;在所述平坦化层的上方形成显示电极,所述显示电极与所述漏极过孔连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的