[发明专利]一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法

摘要

本发明提供一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法，所述制备方法至少包括：首先，提供一硅衬底，刻蚀所述硅衬底形成硅柱阵列；其次，于所述硅衬底以及硅柱阵列表面形成能够实现选择性外延生长的阻挡层；然后，去除所述硅柱阵列顶部的阻挡层，暴露出的所述硅柱阵列顶部作为后续生长的籽晶；接着于所述籽晶表面选择性外延生长缓冲层；接着在所述缓冲层表面选择性外延生长形成连续的GaN薄膜层；最后剥离转移所述GaN薄膜层，余留的硅衬底及硅柱阵列供所述步骤4)循环使用。通过本发明的制备方法可以实现高质量、大面积、低成本GaN单晶薄膜的制备，从而促进GaN电子器件的工业应用。

主权项

1.一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一硅衬底，刻蚀所述硅衬底形成硅柱阵列；2)于所述硅衬底以及硅柱阵列表面形成能够实现选择性外延生长的阻挡层；3)去除所述硅柱阵列顶部的阻挡层，暴露出的所述硅柱阵列顶部作为后续生长的籽晶；4)于所述籽晶表面选择性外延生长缓冲层；5)在所述缓冲层表面选择性外延生长形成连续的GaN薄膜层；6)剥离转移所述GaN薄膜层，余留的硅衬底及硅柱阵列供所述步骤4)循环使用。