[发明专利]AlGaN/GaNHEMT小信号模型及其参数的提取方法在审
| 申请号： | 201611228985.9 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106529102A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王佳佳;周海峰;丁庆 | 申请（专利权）人： | 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法。本发明的AlGaN/GaN HEMT小信号模型在传统的AlGaN/GaN HEMT小信号模型的基础上，在寄生单元中增设了栅源之间的第一共面波导电容和栅漏之间的第二共面波导电容由于AlGaN/GaN HEMT器件与共面波导器件的结构有着相似之处，在高频条件下，引入第一共面波导电容和第二共面波导电容也即，考虑了AlGaN/GaN HEMT器件的共面波导效应会引入额外寄生电容，可以更精准的反映AlGaN/GaN HEMT器件的工作状态和器件特性，提高了器件模型准确率。 | ||
| 搜索关键词： | algan ganhemt 信号 模型 及其 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型，其特征在于，包括本征单元和寄生单元，其中，所述寄生单元包括栅源之间的第一共面波导电容栅漏之间的第二共面波导电容所述本征单元的第一端与栅极端连接，所述本征单元的第二端与所述漏极端连，所述本征单元的第三端与源极端连接；所述第一共面波导电容串接在所述本征单元的第一端与第三端之间，所述第二共面波导电容串接在所述本征单元的第一端与第二端之间。
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