[发明专利]BJT辅助的改进型GTO结构、控制方法及制备方法

摘要

本发明公开了一种BJT辅助的改进型GTO结构、控制方法及制备方法，该改进型GTO器件采用单片集成方式在门极关断晶闸管GTO上并联一个辅助型的双极结型晶体管BJT，并联的GTO与BJT共享电极，且电极包括阴极、阳极及门极；控制方法根据施加在器件的阳极和阴极之间正偏置电压变化，控制GTO结构以BJT的工作模式导通，或以BJT与GTO共同开启的工作模式导通；制备方法在当前的GTO或BJT的工艺流程中增加离子注入，与当前的GTO和BJT的制备工艺兼容。本发明能够满足在小电流工作模式和大电流工作模式之间切换，有利于减小器件的功率损耗，且有效提高了原有的GTO的开关速度，适用于负载变化大的电力电子系统。

主权项

一种BJT辅助的改进型GTO结构，其特征在于，改进型GTO器件是通过单片集成的方式将门极关断晶闸管GTO和双极结型晶体管BJT进行并联集成的半导体器件；并联的GTO与BJT共享电极，且所述电极包括阴极、阳极及门极。