[发明专利]一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法有效
| 申请号： | 201611230637.5 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106682311B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;范春晖;刘林林;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/36 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其包括设计传输晶体管的测试结构、标准二极管的测试结构以及标准MOS晶体管的测试结构；对传输晶体管、标准二极管以及标准MOS晶体管的测试结构进行版图出版、工艺流片以及数据测试；提取标准二极管和标准MOS晶体管的器件模型参数，基于标准二极管和标准MOS晶体管的器件模型构建传输晶体管子电路模型；拟合并优化子电路模型的参数，形成传输晶体管的器件模型。因此，本发明将传输晶体管等效为标准MOS晶体管和标准二极管的串联结构，以此为基础构建传输晶体管子电路模型，并设计相应的测试结构，通过测试数据拟合和优化子电路模型参数，最终形成像素单元的传输晶体管模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 像素 单元 晶体管 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，包括：步骤S1：设计传输晶体管的测试结构、标准二极管的测试结构以及标准MOS晶体管的测试结构；步骤S2：对所述传输晶体管的测试结构、标准二极管的测试结构以及标准MOS晶体管的测试结构进行版图出版、工艺流片以及数据测试；步骤S3：基于所述标准二极管和标准MOS晶体管的器件模型构建传输晶体管的子电路模型架构；步骤S4：拟合并优化所述子电路模型参数，形成传输晶体管的器件模型。
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