[发明专利]一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件有效
| 申请号： | 201611231185.2 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257858B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 夏经华;杨霏;李玲;刘瑞;吴昊;钮应喜;田红林;王嘉铭;李嘉琳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网江苏省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理，形成光滑的钝化表面；在光滑的钝化表面上依次淀积Al |
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| 搜索关键词： | 一种 介质 制备 方法 碳化硅 mos 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种高k栅介质层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对所述牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除所述外延层上的牺牲氧化层；对所述去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理，形成光滑的钝化表面；在所述光滑的钝化表面上依次淀积Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层，并对所述Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层构成的叠层结构进行退火，形成高k栅介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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