[发明专利]一种超结碳化硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611231894.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106876463A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨霏;钮应喜;夏经华;李玲;郑柳;刘瑞;查祎英;田亮;王嘉铭;桑玲 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网山东省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结碳化硅器件及其制备方法，所述制备方法包括在具有第一导电类型的碳化硅衬底的正面生长具有第一导电类型的第一外延层；在第一外延层内形成一个或多个沟槽；在沟槽内按照由下到上的顺序依次生长多个具有第二导电类型的第二外延层，直至完成所述沟槽的填充，形成超结结构。与现有技术相比，本发明提供的一种超结碳化硅器件及其制备方法，通过在沟槽内按照由下到上的顺序依次生长多个外延层直至完成沟槽的填充，形成超结结构，可以根据沟槽的深度调整外延层的数量，以及各外延层的厚度，从而实现对沟槽进行无缝隙填充，进而避免发生沟槽上方提前封口的问题，同时该制备方法工艺简单、成本低便于对超结碳化硅进行工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超结碳化硅器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在具有第一导电类型的碳化硅衬底的正面生长具有第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层内形成一个或多个沟槽；在所述沟槽内按照由下到上的顺序依次生长多个具有第二导电类型的第二外延层，直至完成所述沟槽的填充，形成超结结构。
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