[发明专利]一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611232188.8 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN108258117B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 阳军亮;童思超;孙佳;王春花;张楚俊;夏华燕 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 代理人: 杨斌
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器,包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;配制钙钛矿材料前驱体溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜,得到高质量钙钛矿材料光吸收层;配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层;采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点,具有重要的应用前景。
搜索关键词: 一种 稳定 性能 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器,其特征在于,所述光电探测器包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极层四部分,钙钛矿材料光吸收层厚度为50nm到1000nm之间,2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层厚度为20nm到60nm之间。
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