[发明专利]磁控溅射镀膜源及其装置与方法在审

专利信息
申请号: 201611232745.6 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106906447A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 王开安 申请(专利权)人: 王开安
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳市智享知识产权代理有限公司44361 代理人: 蔺显俊
地址: 美国加利福*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及材料沉积技术领域,具体涉及磁控溅射镀膜源及其装置与方法。磁控溅射镀膜源包括一对可旋转的镀膜组件。每一镀膜组件包括溅射靶座和溅射靶座内部设置磁力产生件。在每一镀膜组件内的磁力产生件朝向镀膜组件中心轴线的极性相同,不同镀膜组件内磁力产生件朝向其各自镀膜组件中心轴线的极性相反。镀膜过程中,镀膜组件自转,而磁力产生件位置保持不变。磁控溅射镀膜装置采用磁控镀膜溅射源,能将过热的电子或其他携带能量的负离子被磁场束缚在两个镀膜组件之间,从而大大减少轰击工件的机会,并能有效地抑制工艺温度上升,实现低温镀膜。本发明还涉及磁控溅射镀膜方法,其采用上述磁控溅射镀膜装置。
搜索关键词: 磁控溅射 镀膜 及其 装置 方法
【主权项】:
一种磁控溅射镀膜源,用于为工件镀膜,其特征在于:其包括一对可旋转的镀膜组件,每一镀膜组件包括溅射靶座和溅射靶座内部设置磁力产生件,在每一镀膜组件内的磁力产生件朝向镀膜组件中心轴线的极性相同,不同镀膜组件内磁力产生件朝向其各自镀膜组件中心轴线的极性相反;镀膜过程中,镀膜组件自转,而磁力产生件位置保持不变。
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