[发明专利]一种掺杂碲化镉薄膜电池及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201611233866.2 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN106784036A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 马立云;彭寿;潘锦功;殷新建;蒋猛 申请(专利权)人: 成都中建材光电材料有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 代理人: 李华,温黎娟
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种掺杂碲化镉薄膜电池以及制作方法,所述薄膜电池以硼硅玻璃层为衬底,所述衬底上设置有外延叠层,所述外延叠层由下往上依次为前电极ITO层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层,所述窗口层为硫化铟薄膜层,所述光吸收层为掺铷碲化镉复合薄膜层,所述背接触层为掺铜碲化锌复合薄膜层,所述背电极层为钼薄膜层。本申请技术方案改进了碲化镉电池光吸收层的掺杂,通过掺杂铷有效改善薄膜电导性能;选用高透过率且耐高温的衬底,并解决了背接触的问题;同时通过窗口层材料的选择及热处理的方式,实现了调节碲化镉禁带宽度的方法,提高了电池的开路电压;此外,本申请所述制作方法操作工艺可控,适合掺杂碲化镉薄膜电池的大规模生产。
搜索关键词: 一种 掺杂 碲化镉 薄膜 电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种掺杂碲化镉薄膜电池,其特征在于:所述薄膜电池以硼硅玻璃层为衬底,所述衬底上设置有外延叠层,所述外延叠层由下往上依次为前电极ITO层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层,所述窗口层为硫化铟薄膜层,所述光吸收层为掺铷碲化镉复合薄膜层,所述背接触层为掺铜碲化锌复合薄膜层,所述背电极层为钼薄膜层。
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