[发明专利]一种掺杂碲化镉薄膜电池及其制作方法在审
申请号: | 201611233866.2 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106784036A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 马立云;彭寿;潘锦功;殷新建;蒋猛 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 | 代理人: | 李华,温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种掺杂碲化镉薄膜电池以及制作方法,所述薄膜电池以硼硅玻璃层为衬底,所述衬底上设置有外延叠层,所述外延叠层由下往上依次为前电极ITO层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层,所述窗口层为硫化铟薄膜层,所述光吸收层为掺铷碲化镉复合薄膜层,所述背接触层为掺铜碲化锌复合薄膜层,所述背电极层为钼薄膜层。本申请技术方案改进了碲化镉电池光吸收层的掺杂,通过掺杂铷有效改善薄膜电导性能;选用高透过率且耐高温的衬底,并解决了背接触的问题;同时通过窗口层材料的选择及热处理的方式,实现了调节碲化镉禁带宽度的方法,提高了电池的开路电压;此外,本申请所述制作方法操作工艺可控,适合掺杂碲化镉薄膜电池的大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 碲化镉 薄膜 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种掺杂碲化镉薄膜电池,其特征在于:所述薄膜电池以硼硅玻璃层为衬底,所述衬底上设置有外延叠层,所述外延叠层由下往上依次为前电极ITO层、窗口层、光吸收层、背接触层、背电极层,所述窗口层为硫化铟薄膜层,所述光吸收层为掺铷碲化镉复合薄膜层,所述背接触层为掺铜碲化锌复合薄膜层,所述背电极层为钼薄膜层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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