[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201611233908.2 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN107093587B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 金井直之;堀元人;金子悟史 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置保护引线的接合部。半导体装置(100)具备:半导体元件(12),其在表面具有电极;引线(15),其与半导体元件(12)的电极接合;树脂层(22b),其覆盖半导体元件(12)的表面的引线(15)的接合部;以及凝胶填充材料(23),其密封半导体元件(12)、引线(15)和树脂层(22b)。通过利用树脂层(22b)对引线(15)的接合部进行保护,从而能够缓和其劣化,提高半导体装置(100)的可靠性。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:第一半导体元件,其具有第一正面电极和第一保护环;第二半导体元件,其具有第二正面电极和第二保护环;第一引线,其与所述第一正面电极接合;第二引线,其与所述第二正面电极接合;第一树脂层,其覆盖所述第一保护环和所述第二保护环中的至少一个;以及凝胶填充材料,其密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件、所述第一引线和所述第二引线、以及所述第一树脂层。
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