[发明专利]一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201611235050.3 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106672947A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 朱国森;杨云利;束正梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中亚新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;H01B1/02;H01B1/04 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 212300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，具体步骤如下：将铜箔放置于CVD反应炉中；向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应；关闭CVD反应炉，使铜箔上生长第一石墨烯层，并在第一石墨烯层上覆盖一层第一高导粉末层；打开CVD反应炉，在第一高导粉末层上继续生长第二石墨烯层，并在第二石墨烯层上覆盖一层第二高导粉末层；重复6‑12次；在第二高导粉末层上继续生长第三石墨烯层，剥除铜箔即可得到多层石墨烯，具有良好的功率特性、较高的能量密度和良好的电化学稳定性，在制备导电材料方面有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 导电 性能 多层 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超高导电性能的多层石墨烯的制备方法，其特征为，具体步骤如下：(1)取厚度为0.05‑0.5mm铜箔，放置于CVD反应炉中；(2)在600‑1200℃的温度下向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应，气体碳源与保护气体的体积流量比为1：10‑1：200，所述保护气体为氩气和氮气按4:1的体积份数比混合而成，所述气体碳源为甲烷，气体碳源的通入时间为5‑25min，保护气体持续通入；(3)关闭CVD反应炉，使铜箔上生长第一石墨烯层，生长30‑80min后，在第一石墨烯层上覆盖一层第一高导粉末层；(4)再次打开CVD反应炉，在600‑1200℃的温度下向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应，气体碳源与保护气体的体积流量比为1：10‑1：80；(5)关闭CVD反应炉，在第一高导粉末层上继续生长第二石墨烯层，生长20‑60min后，在第二石墨烯层上覆盖一层第二高导粉末层；(6)重复步骤(4)和步骤(5)6‑12次；(7)再次打开CVD反应炉，在600‑1200℃的温度下向CVD反应炉中通入保护气体和气体碳源进行反应，气体碳源与保护气体的体积流量比为1：10‑1：200；(8)关闭CVD反应炉，在第二高导粉末层上继续生长第三石墨烯层，生长20‑60min后，剥除铜箔即可得到多层石墨烯。
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