[发明专利]一种实现三转换增益的像素单元结构有效

专利信息
申请号: 201611235100.8 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN106686327B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 顾学强;周伟;范春晖;王言虹 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;张磊
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种实现三转换增益的像素单元结构,至少包括:光电二极管,传输管,复位管,源极跟随管和增益控制管,传输管的漏极、源极跟随管的栅极、复位管的源极共同连接于悬浮漏极,增益控制管与悬浮漏极并联设置,增益控制管设有第一、第二控制端;通过在不同光照条件下在第一、第二控制端上进行不同的电压偏置,使悬浮漏极具有三种不同的电容值,从而实现像素单元在三种转换增益之间的切换,并得到高质量的图像输出,同时满足了CMOS图像传感器对高灵敏度和大动态范围的需求。
搜索关键词: 一种 实现 转换 增益 像素 单元 结构
【主权项】:
1.一种实现三转换增益的像素单元结构,其特征在于,至少包括:光电二极管,传输管,复位管,源极跟随管和增益控制管,所述传输管的漏极、源极跟随管的栅极、复位管的源极共同连接于悬浮漏极,增益控制管与悬浮漏极并联设置;其中,增益控制管设有第一、第二控制端,通过在不同光照条件下在第一、第二控制端上进行不同的电压偏置,以使悬浮漏极具有三种不同的电容值,从而实现像素单元在三种转换增益之间的切换;其中,所述增益控制管为一MOS电容,其栅极与复位管的源极、悬浮漏极并联设置,所述第一、第二控制端分别为MOS电容的源、漏极,通过在第一、第二控制端上进行高、低不同的电压偏置,以改变增益控制管的电容,从而改变像素单元悬浮漏极的总电容。
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