[发明专利]一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法有效
| 申请号： | 201611235160.X | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106653596B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吴俊清;徐强;钱明明;樊华;蒋志强;徐建 | 申请（专利权）人： | 东方环晟光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 刘畅;徐冬涛 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法，其特征在于去磷硅玻璃槽中加入去离子水与氢氟酸、盐酸混合液，氢氟酸的摩尔浓度为15‑20％，同时通入臭氧。本发明在去磷硅玻璃槽中加入一定比例的盐酸，加大HF的浓度，同时通入一定流量的臭氧，既可起到传统方法中去磷硅玻璃和残留碱的作用，又可有效去除硅片表面金属杂质(臭氧对硅片进行氧化生成SiO2，HF再去除SiO2)，这样可有效提高电池片正面的氢钝化和背面的铝背场钝化效果，从而提高电池片的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 工艺 中去磷硅 玻璃 配置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀工艺中去磷硅玻璃槽的配置方法，其特征在于去磷硅玻璃槽中加入去离子水与氢氟酸、盐酸混合液，氢氟酸的摩尔浓度为15‑20％，同时通入臭氧；包含以下步骤：(1)在去磷硅玻璃槽中加入去离子水，加入氢氟酸和盐酸，氢氟酸的摩尔浓度为15‑20％，盐酸的摩尔浓度为2‑5％，开启循环，混合10分钟；(2)将臭氧通入循环管内，臭氧流量40‑60L/min，反应前持续10分钟以上，反应过程中保持流量20‑30L/min，温度保持在25‑35℃；(3)将扩散后的硅片放入湿法刻蚀机台，工艺过程中在去磷硅玻璃槽中需保持0.5‑2min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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