[发明专利]降低多晶硅表面粗糙度的方法在审
| 申请号： | 201611235212.3 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106601593A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤i)将O3水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和刻蚀处理的多晶硅层；iii)依次重复步骤i)的氧化处理和步骤ii)的蚀刻处理过程n次，直至多晶硅界面处凸起的高度小于30nm，其中n为正整数。本发明方法利用O3水对多晶硅层表面进行氧化处理，O3具有强氧化性，大幅缩短氧化时间；然后经多次氧化处理和蚀刻处理显著提高多晶硅膜表面的平整度，以减少薄膜晶体管的漏电流，优化其电性。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 多晶 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤：i)将O3水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将在多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和蚀刻处理的多晶硅层；iii)依次重复步骤i)的氧化处理和步骤ii)的蚀刻处理过程n次，直至多晶硅界面处凸起的高度小于30nm，其中n为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
