[发明专利]一种显示面板及其显示器有效
申请号: | 201611236094.8 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN107068895B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 钱旭;蔡雨;金健;于泉鹏 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/00 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;胡洁 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种显示面板及其显示器,其中,显示面板至少包括:柔性基板、薄膜晶体管阵列层、发光结构和保护层,所述保护层覆设于所述柔性基板远离所述薄膜晶体管阵列层一侧表面,所述保护层采用碳氧化硅材料、氧化硅材料或碳化硅材料中的任意一种或几种的组合,或者采用导电金属材料或导电化合物材料。本发明提供的显示面板在柔性基板的背板直接覆设一层特定材料的保护层,不仅可以防止柔性基板的背板被划伤以及防止水氧的入侵。更重要的是,与现有技术采用较厚的胶层和硬度较高的背板保护膜相比,本发明更便于显示面板的弯折且弯折时使保护层不易脱落。 | ||
搜索关键词: | 显示面板 保护层 柔性基板 背板 薄膜晶体管阵列层 弯折 显示器 导电金属材料 导电化合物 碳化硅材料 氧化硅材料 发光结构 技术采用 碳氧化硅 保护膜 划伤 胶层 水氧 入侵 | ||
【主权项】:
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板至少包括:柔性基板;薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层位于所述柔性基板一侧表面,所述薄膜晶体管阵列层包括多个呈阵列排布的薄膜晶体管、多条栅极线以及与多条所述栅极线绝缘交叉的数据线,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅极线电连接,所述薄膜晶体管的第一极与所述数据线电连接;发光结构,所述发光结构位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述柔性基板的一侧表面,所述发光结构包括阴极层、发光功能层和阳极层,所述阳极层与所述薄膜晶体管的第二极电连接;以及,保护层,所述保护层覆设于所述柔性基板远离所述薄膜晶体管阵列层一侧表面,所述保护层采用碳氧化硅材料、氧化硅材料或碳化硅材料中的任意一种或几种的组合,或者采用导电金属材料或导电化合物材料;所述保护层远离所述柔性基板的一侧表面具有凹凸图案化的结构;所述显示面板还包括位于所述薄膜晶体管阵列层与所述发光结构之间的有机层结构和位于所述薄膜晶体管阵列层与所述柔性基板之间的多层膜结构和缓冲层,其中,所述有机层结构包括平坦化层和像素定义层;其中,沿所述薄膜晶体管阵列层朝向所述发光结构的方向,所述平坦化层和所述像素定义层依次层叠地设置;沿所述柔性基板朝向所述薄膜晶体管阵列层的方向,所述多层膜结构和所述缓冲层依次设置;所述多层膜结构包括多层无机膜;所述显示面板的中性面位于所述多层膜结构中;所述显示面板的中性面在所述显示面板弯折时没有应力施加;所述薄膜晶体管阵列层、多层膜结构和缓冲层的总厚度为1μm~3μm;所述柔性基板的厚度为10~15μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611236094.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择