[发明专利]提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法在审
| 申请号： | 201611236249.8 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106601403A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 胡元磊 | 申请（专利权）人： | 京磁新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 300000 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法，其包括利用磁控溅射工艺，在烧结制成的钕铁硼磁体毛坯的表面上溅射一层1‑8μm厚的稀土金属薄膜。利用磁控溅射工艺在磁体表面形成的Dy/Tb薄膜，通过晶界扩散渗Dy/Tb进入到Nd2Fe14B晶粒的表面层中，增强其各向异性，从而在保证磁体剩磁几乎不变的情况下，大大提高磁体矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 烧结 钕铁硼 磁体 矫顽力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征在于，包括：利用磁控溅射工艺，在烧结制成的钕铁硼磁体毛坯的表面上溅射一层1‑8μm厚的稀土金属薄膜。
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