[发明专利]基于硫化钨薄膜结构可调太赫兹波滤波器有效
申请号: | 201611236877.6 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106684511B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 章乐;李九生 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于硫化钨薄膜结构可调太赫兹波滤波器。它包括Y形硫化钨薄膜、圆环形硫化钨薄膜、矩形硫化钨薄膜、二氧化硅层、基底层、信号输入端、信号输出端;基底层的上层为二氧化硅层,二氧化硅层上铺有Y形硫化钨薄膜、圆环形硫化钨薄膜、矩形硫化钨薄膜;通过调节施加在圆环形硫化钨薄膜与基底层之间的偏置直流电压,调节圆环形硫化钨薄膜的有效介电常数,实现可调滤波功能。本发明具有结构简单紧凑,尺寸小,响应快,设计原理简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 硫化 薄膜 结构 可调 赫兹 滤波器 | ||
【主权项】:
1.一种基于硫化钨薄膜结构可调太赫兹波滤波器,其特征在于包括信号输入端(1)、信号输出端(2)、Y形硫化钨薄膜(3)、圆形硫化钨薄膜(4)、矩形硫化钨薄膜(5)、二氧化硅层(6)、基底层(7);圆形硫化钨薄膜(4)上周向等间隔设有32个圆形开槽,Y形硫化钨薄膜(3)在与圆形硫化钨薄膜(4)相切处设均设有3个圆形开槽;基底层(7)的上层为二氧化硅层(6),二氧化硅层(6)的上层铺有Y形硫化钨薄膜(3)、圆形硫化钨薄膜(4)、矩形硫化钨薄膜(5),Y形硫化钨薄膜(3)与圆形硫化钨薄膜(4)相切,圆形硫化钨薄膜(4)的右侧与矩形硫化钨薄膜(5)的左侧相连,Y形硫化钨薄膜(3)的左端设有信号输入端(1),矩形硫化钨薄膜(5)的右端设有信号输出端(2);太赫兹信号从信号输入端(1)输入,从信号输出端(2)输出;通过调节施加在圆形硫化钨薄膜与基底层之间的偏置直流电压,调节基底层的有效介电常数,实现可调滤波功能。
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