[发明专利]一种高电子迁移率晶体管T型栅的制作方法

摘要

本发明提供一种高电子迁移率晶体管T型栅的制作方法，包括以下步骤：S1、在晶体管表面生长Si₃N₄介质钝化层；S2、在介质钝化层上均匀涂抹高光感正胶并进行烘烤；S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光显影形成栅槽刻蚀窗口，并进行烘烤；S4、刻蚀介质钝化层形成栅槽，并去除高光感正胶；S5、在晶体管表面均匀涂抹负胶，对负胶进行光刻形成栅帽线条；S6、蒸发栅金属并剥离形成栅极。本发明采用步进式曝光、缩胶工艺及ICP‑RIE刻蚀来调节目标线条的特征尺寸，可以灵活制作特征尺寸为0.1‑0.5μm的栅线条，与电子束曝光方式相比，生产效率大大提升，适用于批量生产。

主权项

1.一种高电子迁移率晶体管T型栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在晶体管表面生长Si₃N₄介质钝化层；S2、在介质钝化层上均匀涂抹高光感正胶并进行烘烤；S3、采用步进式曝光方式对高光感正胶进行曝光显影形成栅槽刻蚀窗口，并进行烘烤；S4、刻蚀介质钝化层形成栅槽，并去除高光感正胶；S5、在晶体管表面均匀涂抹负胶，对负胶进行光刻形成栅帽线条；S6、蒸发栅金属并剥离形成栅极；步骤S4具体包括：S41、打底胶；S42、使用CF₄刻蚀介质钝化层形成栅槽；S43、采用Cl₂和BCl₃刻蚀介质钝化层下方的外延层形成加强槽；S44、采用浓度为10％的盐酸溶液清洗去除底部氧化物残留。