[发明专利]量子阱超晶格厚膜热电材料及其生产方法

摘要

本发明公开了一种量子阱厚膜超晶格热电材料的生产方法，包括以下步骤通过原子层沉积的方法，在氧化铝纳米孔内定向生长热电材料。热电材料从纳米孔的内壁开始生长，然后向纳米孔的轴线方向逐层生长，形成厚膜超晶格热电材料。纳米孔模板材料可以为Al2O3、TiO2或者SiO2，基础热电材料为Bi2Te3。本发明利用原子层沉积技术，以超高高宽比多孔氧化铝模板为基体，经由化学的方法快速合成Bi2Te3超晶格厚膜热电材料，从而实现高优值，高热电转换效率。所述厚膜热电超晶格材料可以在非高真空的条件下，快速生产，且具有设定的厚度和量子阱超晶格微结构，而且性能远优于现有的技术报道。

主权项

量子阱厚膜超晶格热电材料的生产方法，其特征在于包括以下步骤：通过原子层沉积的方法，在纳米孔模板的纳米孔内生长热电材料，所述热电材料从纳米孔的内壁开始生长，然后沿纳米孔径向方向逐层生长，直到纳米孔长满为止，形成具有量子阱超晶格结构的厚膜热电材料。